Poudre de nanotubes de carbone à paroi simple TF1010

TF1010 is an electronic-grade ultra-high-purity single-walled carbon nanotube powder prepared by Shandong Tanfeng using super-growth CVD coupled with multi-stage high-temperature deep purification and targeted catalytic impurity removal processes. It is the highest-purity model in the entire single-walled product line, forming a clear gradient distinction from the TF1000 basic single-walled type. The tube diameter is precisely controlled within a narrow distribution range of 1.5–1.7 nm, the pristine carbon tube length is >100 μm, the Raman G/D ratio is >50, et les défauts de carbone amorphe de la paroi du tube sont extrêmement faibles. L'indicateur différencié de base : la pureté effective des tubes en carbone à simple paroi est supérieure ou égale à 98,5 %, nettement supérieure à la pureté de 80 % du TF1000. Les cendres métalliques sont contrôlées par gradient jusqu'à un niveau de cent ppm, les impuretés résiduelles du catalyseur sont considérablement réduites, évitant ainsi fondamentalement les fuites des dispositifs semi-conducteurs, les réactions côté batterie et les problèmes de dérive du signal de détection.

La structure tubulaire sans couture du graphène monocouche combine une conduction électronique balistique, une élasticité ultra-élevée et une surface spécifique ultra-large (500 à 1 000 m²/g). La quantité ajoutée par percolation peut être aussi faible que 0,03 % pour former un réseau conducteur complet, adapté aux transistors à couches minces de traitement avancé de 7 nm et moins, aux circuits logiques flexibles, aux anodes en silicium-carbone de haute pureté, aux blindages légers militaires et aérospatiaux, à la biodétection de traces à ultra haute sensibilité et à d'autres scénarios rigoureux de haute précision.

L'usine est équipée d'un ensemble complet d'équipements de test dédiés aux matériaux de haute pureté, notamment TEM haute résolution, spectroscopie Raman, thermogravimétrie TGA et ICP-OES. Chaque lot est accompagné d'un ensemble complet de rapports de tests spéciaux sur le contenu de la paroi simple, les impuretés métalliques, le diamètre et la longueur du tube. Seuls des échantillons de haute pureté au niveau du gramme et des lots pilotes au niveau du kilogramme sont fournis aux instituts de recherche, aux entreprises de semi-conducteurs et aux principaux fabricants de batteries à semi-conducteurs. Les poudres modifiées de haute pureté avec des groupes amino et carboxyle peuvent être personnalisées pour s'adapter à la dispersion eau/solvant organique. Un ensemble complet de rapports spéciaux RoHS, REACH, sur les impuretés ICP de haute pureté et de fiches de données de sécurité MSDS sont complets, répondant aux normes strictes d'audit d'admission des matériaux pour l'importation et l'exportation militaires et de semi-conducteurs.

Emballage : Sacs sous vide en papier d'aluminium, sacs composites PE, sacs d'une tonne, personnalisables

En 2022, l'entreprise a investi 50 millions de RMB pour créer « Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd ». à Heze, province du Shandong, avec une superficie constructible de 4 000 mètres carrés. C'est maintenant une entreprise nationale de haute technologie avec plus de dix brevets indépendants.

La construction d'un centre de production et de R&D de deuxième phase est prévue pour 2027. La société a obtenu la certification internationale du système qualité ISO9001 et a formé un centre de fabrication et de services techniques avancés de nanomatériaux couvrant l'ensemble du processus d'exploitation, de R&D, de production pilote et de fabrication. Actuellement, elle possède des lignes de production complètes pour la poudre de nanotubes de carbone, la bouillie de nanotubes de carbone, le mélange maître de nanotubes de carbone, la fibre de nanotubes de carbone et le film de nanotubes de carbone.

Nous disposons de tests et de certifications professionnels. Pour les nanotubes de carbone véritablement à l'échelle nanométrique, Tanfeng Technology fournit des données de caractérisation pour divers modèles, tels que les images SEM, les images AFM, les images HRTEM, la spectroscopie Raman et les diagrammes de diffraction des rayons X sur poudre.

Pureté à paroi unique supérieure ou égale à 98,5 %, teneur en impuretés et tubes divers extrêmement faible, s'adaptant aux exigences de rapport marche/arrêt des dispositifs semi-conducteurs

Comparé à la pureté à paroi unique du TF1000 de seulement 80 %, le TF1010 élimine les tubes de carbone à parois multiples et les particules de carbone amorphe grâce à une purification en plusieurs étapes, les impuretés de phases diverses représentant moins de 1,5 %. Lorsqu'il est utilisé dans des transistors à effet de champ à couches minces, le rapport marche/arrêt du dispositif est augmenté de plus de 10 fois, sans fuite ni distorsion du signal causée par divers tubes métalliques, s'adaptant à la recherche et au développement de circuits intégrés avancés à base de carbone de 7 nm et moins.

Trois qualités de cendres métalliques ultra faibles disponibles, résolvant complètement le problème de défaillance de la migration des ions métalliques traces

Fournit trois spécifications de cendres :<100 ppm / <500 ppm / <2000 ppm. Military and semiconductor chips can choose the ultra-pure grade within 100 ppm. Eliminates catalyst metal residue precipitating during device energization, avoiding wafer short circuits, continuous solid-state battery side reactions, and sensor baseline drift.

1.5–1.7 nm narrow tube diameter distribution + >Tubes vierges ultra longs de 100 μm, remplissage extrêmement faible sans bloquer la transmission de la lumière

Rapport d'aspect ultra-élevé de dix mille niveaux, quantité d'ajout conducteur aussi faible que 0,03 %, dosage de charge réduit de 30 % supplémentaires par rapport au TF1000 pour le même effet conducteur. Le diamètre du tube est bien plus petit que la longueur d'onde de la lumière visible, préparant des films conducteurs transparents sans voile et à transmission élevée, s'adaptant à la production en série d'écrans pliables et d'électrodes transparentes photovoltaïques.

Ultra-high crystallinity G/D >50, très peu de défauts structurels des parois des tubes, stabilité du cycle électrochimique maximisée

Les parois des tubes en graphène à faibles défauts réduisent les réactions secondaires à l'interface électrolytique. Lorsqu'ils sont utilisés dans des anodes silicium-carbone et des batteries à semi-conducteurs, ils peuvent supprimer considérablement l'épaississement continu du film SEI, avec une durée de vie du cycle cellulaire améliorée de plus de 35 % par rapport au TF1000 à simple paroi de base, s'adaptant aux batteries haut de gamme à longue portée des véhicules de tourisme.

Peut séparer directionnellement les tubes de carbone semi-conducteurs à paroi unique, substrat central pour puces flexibles de faible puissance

Les matières premières vierges à paroi unique de haute pureté facilitent la séparation ultérieure par centrifugation par gradient de densité, produisant une proportion élevée de nanotubes de carbone semi-conducteurs à paroi unique avec une mobilité élevée des porteurs et une consommation d'énergie extrêmement faible des appareils, ce qui en fait des matières premières essentielles pour les circuits logiques flexibles à faible consommation et les puces de micro-détection de nouvelle génération.

Surface spécifique ultra-large de 500 à 1 000 m²/g, capture ultra-haute sensibilité des molécules traces

Sites actifs électrochimiques massifs, avec une capacité d'adsorption et de reconnaissance des gaz, des protéines biologiques et des traces de molécules de métaux lourds dépassant largement le TF1000, s'adaptant aux biocapteurs de diagnostic médical et aux sondes de détection de précision des traces de polluants environnementaux.

Système de haute pureté entièrement conforme aux normes militaires et aérospatiales, renfort structurel intégré léger, conducteur et thermiquement conducteur.

Les formulations à faible impureté et sans précipitation répondent aux normes d'acceptation des composants électroniques aérospatiaux et militaires. Un remplissage extrêmement faible permet d'obtenir le triple effet de conductivité permanente, de blindage électromagnétique et de renforcement structurel, réduisant ainsi considérablement le poids propre des composants des satellites et des avions.

1. Processus avancé de semi-conducteurs à base de carbone, transistors à effet de champ à couches minces

Circuits intégrés de traitement de 7 nm et moins, puces logiques flexibles, circuits de détection micro-faible puissance ; la pureté ultra-élevée de la paroi unique garantit un rapport marche/arrêt élevé des transistors et de faibles fuites, remplaçant ainsi les matériaux traditionnels à base de silicium pour la R&D en micro-nanoélectronique post-Moore.

2. Matériaux composites de blindage conducteurs légers de très haute pureté militaire/aérospatiale

Boîtiers de blindage électromagnétique légers pour satellites, dissipation thermique pour avions et panneaux conducteurs intégrés, électrodes pour dispositifs de stockage d'énergie militaire ; les impuretés à faible teneur en métaux répondent aux normes de fonctionnement stables à long terme en orbite des composants militaires.

3. Anodes silicium-carbone haut de gamme, batteries de puissance entièrement solides au sulfure

Additifs conducteurs dédiés aux anodes silicium-carbone pour l'électronique grand public haut de gamme et les batteries d'alimentation longue autonomie des véhicules de tourisme ; les impuretés ultra-faibles suppriment l'auto-décharge des cellules, les tubes de carbone ultra-longs tamponnent l'expansion du volume des particules de silicium, prolongeant considérablement la durée de vie.

4. Films conducteurs transparents flexibles à haute transmission, panneaux d'affichage OLED pliables

Remplacer le rare oxyde d'étain d'indium ITO, préparer des films conducteurs à haute transmission sans brume, s'adapter aux écrans tactiles pliables, aux électrodes ECG médicales portables et aux collecteurs de courant transparents de cellules photovoltaïques, avec une atténuation de résistance inférieure à 3 % après mille virages.

5. Capteurs de traces biologiques et environnementales de très haute précision

Capteurs de détection de protéines médicales, détection de traces de gaz toxiques atmosphériques, sondes de surveillance des traces d'eau et des métaux lourds ; la surface spécifique ultra-large permet la reconnaissance de molécules traces au niveau ppb, avec une sensibilité de détection supérieure au TF1000 basic à paroi unique.

6. Projets de recherche universitaires sur les nanomatériaux de très haute pureté

Des échantillons de haute pureté dédiés à la R&D de haute précision en laboratoire, tels que la séparation chiralité à paroi unique des semi-conducteurs, les mécanismes avancés de puces à base de carbone, les mécanismes à cycle long des batteries à semi-conducteurs et les matériaux composites légers pour l'aérospatiale.

Q1 : Quelles sont les différences de sélection de base entre le TF1010 à paroi simple ultra haute pureté et le TF1000 à paroi simple de base, et comment les puces semi-conductrices doivent-elles choisir ?

R : La pureté à paroi unique du TF1000 est seulement supérieure ou égale à 80 %, adaptée aux anodes silicium-carbone, aux films conducteurs flexibles ordinaires et à la R&D de base en laboratoire conventionnel ; La pureté à paroi unique du TF1010 est supérieure ou égale à 98,5 %, avec des cendres métalliques aussi faibles que 100 ppm et extrêmement peu de tubes divers et d'impuretés de carbone amorphe, en particulier pour les circuits intégrés à semi-conducteurs, militaires et aérospatiaux, la biodétection de très haute précision, les batteries à semi-conducteurs haut de gamme et d'autres scénarios avec une tolérance zéro pour les impuretés ; pour une stabilité élevée de l'appareil, de faibles fuites et des cycles longs, TF1010 doit être sélectionné.

Q2 : À quels scénarios les trois spécifications de cendres du TF1010 s'adaptent-elles respectivement ?

A: <100 ppm (military/semiconductor chip highest grade), <500 ppm (high-end solid-state batteries, medical sensors), <2000 ppm (high-end silicon-carbon anodes, commercial flexible screens), freely selectable according to downstream product impurity admission standards.

Q3 : Pureté à paroi unique TF1010 de 98,5 %, quelle amélioration apporte-t-elle au rapport marche/arrêt des transistors ?

R : Étant donné que le TF1000 contient de grandes quantités de tubes divers à parois multiples, le rapport marche/arrêt du transistor n'est que de 10³ à 10⁴ ; Le TF1010 contient extrêmement peu d'impuretés de phase diverses et, après séparation, le rapport marche/arrêt du dispositif à tube de carbone semi-conducteur peut atteindre plus de 10⁷, répondant ainsi aux exigences de performances des puces de processus avancées.

Q4 : Lorsque le TF1010 est utilisé dans des batteries à semi-conducteurs, dans quelle mesure l'autodécharge des cellules peut-elle être réduite par rapport au TF1000 ?

R : Les impuretés catalytiques métalliques TF1010 sont considérablement réduites, l'atténuation de la capacité de stockage à température ambiante des cellules solides pendant 30 jours est réduite de 40 % et la durée de vie est améliorée de 35 %, s'adaptant à la production pilote en série de batteries à semi-conducteurs longue portée pour les constructeurs automobiles.

Q5 : La poudre TF1010 est-elle difficile à disperser et peut-elle s'adapter à la lithographie semi-conductrice prenant en charge les boues ?

R : La poudre TF1010 modifiée de haute pureté aminé peut être personnalisée, s'adaptant à la dispersion de solvants organiques à faible impureté dédiée à la lithographie, sans aucune précipitation de métaux traces contaminant les tranches ; notre société peut fournir des solutions de processus de dispersion de haute pureté à faible cisaillement.

Q6 : Pour les projets militaires et de semi-conducteurs d’exportation, TF1010 peut-il émettre des rapports spéciaux de test d’impuretés métalliques de haute pureté ?

R : Chaque lot est fourni avec une feuille de test de cendres de haute pureté ICP-OES indépendante, étiquetant avec précision le contenu résiduel de divers métaux catalyseurs. Un ensemble complet de documents RoHS, REACH et MSDS est complet, répondant aux audits tiers pour les matériaux militaires et d'importation et d'exportation de semi-conducteurs.

Q7 : Quelle transmission le TF1010 peut-il atteindre lors de la préparation de films conducteurs transparents ? Y a-t-il des problèmes de brume ?

A : Transmission du film supérieure ou égale à 90 %, brume<1%, far superior to TF1000 basic single-walled, with no film surface graying or uneven transmittance caused by miscellaneous tubes, adapting to mass production of high-end foldable display panels.

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